Tatsuro Hanajiri 花尻達郎

Tatsuro Hanajiri received his Bachelor of Engineering from Waseda Univeersity in 1989, Master of Engineering and Doctor of Engineering degrees in electrical engineering from the University of Tokyo in 1991,1994 respectively. He has been with Toyo University as Lecturer scince 1994. He has been engaged in the research of characterization of interfaces of semiconductors . He characterized surface recombination velocity of compound semiconductors with optical methods including Raman spectroscopy. His recent interests and activities are on the research of design and fabrication of single electron devices.

Tatsuro Hanajiri




1989 早稲田大学電気工学科卒「指導教官 鈴木克生教授 宗田孝之講師」
1991 東京大学電子工学科修士卒「指導教官 河東田隆助教授」
1994 東京大学電子工学科博士卒「同上」
1994 東洋大学工学部電気電子工学科講師



大学は高田馬場、修士1年は駒場の先端研、その後、本郷、現在は川越・・・とあちらこちらを放浪。 学部ではBCS理論の真似事で当時フィーバーだった高温超伝導体のCu2O平面のハミルトニアンをいじくり回し、大学院では実験系に移り、主に半導体上への絶縁膜のCVD及びラマン分光法等を用いた半導体の評価を行う。 現在の専門は量子デバイス工学。単電子素子の試作及び設計。 学部の頃少し取った杵枠でもないですが、強電子相関系の物理に興味を持って居り、非常に関係の深い単電子エレクトロニクスに関わるようになったのも何か因縁めいたものも感じる。